Référence fabricant | S12DR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S12DR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S12DR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 12A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-4 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S12DR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S12DR-FT |
MBR3535
GeneSiC Semiconductor
MBR3535R
GeneSiC Semiconductor
MBR3540R
GeneSiC Semiconductor
MBR3545R
GeneSiC Semiconductor
MBR3560
GeneSiC Semiconductor
MBR3580
GeneSiC Semiconductor
MBR3580R
GeneSiC Semiconductor
MBR60100
GeneSiC Semiconductor
MBR60100R
GeneSiC Semiconductor
MBR6020
GeneSiC Semiconductor
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel