maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / S1210R-823G
Référence fabricant | S1210R-823G |
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Numéro de pièce future | FT-S1210R-823G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | S1210R |
S1210R-823G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 82µH |
Tolérance | ±2% |
Note actuelle | 137mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 8.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 40 @ 2.5MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 8MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.5MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 (3225 Metric) |
Taille / Dimension | 0.138" L x 0.105" W (3.51mm x 2.66mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.101" (2.57mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1210R-823G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1210R-823G-FT |
S1210R-222H
API Delevan Inc.
S1210R-222K
API Delevan Inc.
S1210R-223F
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S1210R-223G
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S1210R-223H
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S1210R-223J
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S1210R-223K
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S1210R-271F
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S1210R-271G
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S1210R-271H
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APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
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5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation