maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S10GCHR7G
Référence fabricant | S10GCHR7G |
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Numéro de pièce future | FT-S10GCHR7G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S10GCHR7G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S10GCHR7G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S10GCHR7G-FT |
ES2DVHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2DVHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2F R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2GHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2JHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LD R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LG R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LJ R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
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M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
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5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
Intel