maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S10CJ-M3/I
Référence fabricant | S10CJ-M3/I |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S10CJ-M3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S10CJ-M3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 79pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S10CJ-M3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S10CJ-M3/I-FT |
RO 2
Sanken
RO 2B
Sanken
RO 2BV
Sanken
RO 2BV1
Sanken
RO 2C
Sanken
RO 2CV
Sanken
RO 2CV1
Sanken
RO 2V
Sanken
RO 2V1
Sanken
RO 2Z
Sanken
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel