maison / des produits / Résistances / Résistance de puce - Montage en surface / RW1S0BAR030J
Référence fabricant | RW1S0BAR030J |
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Numéro de pièce future | FT-RW1S0BAR030J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RW |
RW1S0BAR030J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 30 mOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Current Sense |
Coéfficent de température | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | 2512 J-Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SMD J-Lead, Pedestal |
Taille / Dimension | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.141" (3.58mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR030J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RW1S0BAR030J-FT |
RW1S0CKR010DE
Ohmite
RW1S0CKR050FE
Ohmite
RW1S0CKR025FE
Ohmite
RW1S0CKR005DET
Ohmite
RW1S0CKR005FE
Ohmite
RW1S0CKR005FET
Ohmite
RW1S0CKR010FE
Ohmite
RW1S0CKR010FET
Ohmite
RW1S0CKR025FET
Ohmite
RW1S0CKR025DE
Ohmite
LCMXO1200E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
M2GL010-VFG256
Microsemi Corporation
A3P250L-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
EP4CGX75CF23I7N
Intel
XC7A50T-1CPG236I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10M04SCM153I7G
Intel