maison / des produits / Résistances / Résistance de puce - Montage en surface / RW1S0BAR015FET
Référence fabricant | RW1S0BAR015FET |
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Numéro de pièce future | FT-RW1S0BAR015FET |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RW |
RW1S0BAR015FET Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 15 mOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Current Sense |
Coéfficent de température | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | 2512 J-Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SMD J-Lead, Pedestal |
Taille / Dimension | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.141" (3.58mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR015FET Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RW1S0BAR015FET-FT |
RW2S0DA10R0J
Ohmite
RW2S0DA10R0JT
Ohmite
RW2S0DA150RJT
Ohmite
RW2S0DA15R0J
Ohmite
RW2S0DA15R0JT
Ohmite
RW2S0DA1R00J
Ohmite
RW2S0DA1R00JT
Ohmite
RW2S0DA24R0J
Ohmite
RW2S0DA24R0JT
Ohmite
RW2S0DA47R0J
Ohmite
XC6SLX25-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
XC6VHX255T-1FFG1155C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQG100A
Microsemi Corporation
5CEFA4M13C6N
Intel
5CGXFC9E6F35C7N
Intel