maison / des produits / Résistances / Résistance de puce - Montage en surface / RW1S0BAR010JT
Référence fabricant | RW1S0BAR010JT |
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Numéro de pièce future | FT-RW1S0BAR010JT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RW |
RW1S0BAR010JT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10 mOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Current Sense |
Coéfficent de température | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | 2512 J-Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SMD J-Lead, Pedestal |
Taille / Dimension | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.141" (3.58mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR010JT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RW1S0BAR010JT-FT |
RW1S5CAR100J
Ohmite
RW1S5CAR150J
Ohmite
RW1S5CAR150JT
Ohmite
RW1S5CAR200J
Ohmite
RW1S5CAR200JT
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RW1S5CAR500J
Ohmite
RW1S5CAR500JT
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RW1S0CKR050FET
Ohmite
RW1S0CKR010DET
Ohmite
RW1S0CKR050DET
Ohmite
XC7A200T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.
XC4005XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I3N
Intel
EP2S130F1508C3
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EP3SL150F780C3N
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EP1C20F324I7
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