maison / des produits / Résistances / Résistance de puce - Montage en surface / RW1S0BAR010FET
Référence fabricant | RW1S0BAR010FET |
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Numéro de pièce future | FT-RW1S0BAR010FET |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RW |
RW1S0BAR010FET Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10 mOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Current Sense |
Coéfficent de température | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | 2512 J-Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SMD J-Lead, Pedestal |
Taille / Dimension | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.141" (3.58mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR010FET Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RW1S0BAR010FET-FT |
RW2R0DAR050F
Ohmite
RW2R0DAR050JT
Ohmite
RW2R0DAR100JT
Ohmite
RW2R0DAR470J
Ohmite
RW2R0DAR470JT
Ohmite
RW2S0DA10R0J
Ohmite
RW2S0DA10R0JT
Ohmite
RW2S0DA150RJT
Ohmite
RW2S0DA15R0J
Ohmite
RW2S0DA15R0JT
Ohmite
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC5VLX220-1FFG1760C
Xilinx Inc.
AGL250V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF35C5
Intel