maison / des produits / Résistances / Résistance de puce - Montage en surface / RT1210DRD07619RL
Référence fabricant | RT1210DRD07619RL |
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Numéro de pièce future | FT-RT1210DRD07619RL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RT |
RT1210DRD07619RL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 619 Ohms |
Tolérance | ±0.5% |
Puissance (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composition | Thin Film |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | ±25ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.122" L x 0.102" W (3.10mm x 2.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.026" (0.65mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RT1210DRD07619RL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RT1210DRD07619RL-FT |
RT1210DRD07422KL
Yageo
RT1210DRD07422RL
Yageo
RT1210DRD0742K2L
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RT1210DRD0742R2L
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RT1210DRD07430RL
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RT1210DRD07432RL
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RT1210DRD0743KL
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RT1210DRD0743R2L
Yageo
XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30-3BG256C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
EP3CLS100F780I7N
Intel