maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RSS100N03TB
Référence fabricant | RSS100N03TB |
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Numéro de pièce future | FT-RSS100N03TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RSS100N03TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
Vgs (Max) | 20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1070pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSS100N03TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RSS100N03TB-FT |
SI4431BDY-T1-GE3
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Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
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Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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