maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RSH110N03TB1
Référence fabricant | RSH110N03TB1 |
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Numéro de pièce future | FT-RSH110N03TB1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RSH110N03TB1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.7 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSH110N03TB1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RSH110N03TB1-FT |
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Xilinx Inc.
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