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Référence fabricant | RSFJL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-RSFJL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RSFJL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 500mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSFJL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RSFJL M2G-FT |
SS34L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel