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Référence fabricant | RSFJL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-RSFJL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RSFJL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 500mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSFJL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RSFJL M2G-FT |
SS34L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel