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Référence fabricant | RS3M M6G |
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Numéro de pièce future | FT-RS3M M6G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS3M M6G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 500ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3M M6G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS3M M6G-FT |
SS310 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS315 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS315 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS32 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS32 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS320 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS33 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS33 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS35 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel