maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RS3JHE3/9AT
Référence fabricant | RS3JHE3/9AT |
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Numéro de pièce future | FT-RS3JHE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS3JHE3/9AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 2.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3JHE3/9AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS3JHE3/9AT-FT |
ES3A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel