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Référence fabricant | RS2GHE3/5BT |
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Numéro de pièce future | FT-RS2GHE3/5BT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS2GHE3/5BT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2GHE3/5BT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS2GHE3/5BT-FT |
ES2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2BHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2BHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2C-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2C-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2C-M3/5BT
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ES2CHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
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EP3CLS70F484I7
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10M08DAF484C7G
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EP4SE530H40I3
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LCMXO2-2000ZE-2BG256I
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EP2AGX45DF29C5N
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