maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RS2GHE3/52T
Référence fabricant | RS2GHE3/52T |
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Numéro de pièce future | FT-RS2GHE3/52T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS2GHE3/52T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2GHE3/52T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS2GHE3/52T-FT |
ES2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2BHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2BHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2C-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2C-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2C-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel