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Référence fabricant | RS1JL RVG |
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Numéro de pièce future | FT-RS1JL RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS1JL RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 800mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1JL RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1JL RVG-FT |
SS1H15LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DLW RVG
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UF1GLW RVG
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SS1H20LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H4LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144C
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XC6SLX150-N3FG900C
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A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
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5SGXEA5K3F35C2N
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LCMXO2-4000HC-4BG256I
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5AGXFB3H4F35I3N
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EP2AGX45DF29C6N
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