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Référence fabricant | RS1JL MTG |
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Numéro de pièce future | FT-RS1JL MTG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS1JL MTG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 800mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1JL MTG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1JL MTG-FT |
HS1FL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1FL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1FL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1FL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1FL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1GL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1GL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1GL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1GL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1GL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
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XC4VSX55-11FF1148I
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LFE2M35SE-6F256C
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Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
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EP2AGX95EF29I3
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EP20K400BC652-2X
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