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Référence fabricant | RS1JL MHG |
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Numéro de pièce future | FT-RS1JL MHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS1JL MHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 800mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1JL MHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1JL MHG-FT |
HS1FL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1FL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1FL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1FL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1FL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1FL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1FL RUG
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HS1GL M2G
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HS1GL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1GL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
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EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel