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Référence fabricant | RS1JL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-RS1JL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS1JL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 800mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1JL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1JL M2G-FT |
SS29LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation