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RRS110N03TB1 Image

Rohm Semiconductor RRS110N03TB1

Numéro de pièce MFG
RRS110N03TB1
quantité disponible
84550 Pièces
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USD 0
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RRS110N03TB1.pdf
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RRS110N03TB1 Caractéristiques

Référence fabricant RRS110N03TB1
Numéro de pièce future FT-RRS110N03TB1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RRS110N03TB1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.6 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SOP
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RRS110N03TB1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RRS110N03TB1-FT

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