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Référence fabricant | RRH140P03TB1 |
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Numéro de pièce future | FT-RRH140P03TB1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RRH140P03TB1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 14A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 650mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RRH140P03TB1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RRH140P03TB1-FT |
SI4143DY-T1-GE3
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SI4156DY-T1-GE3
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Microsemi Corporation
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XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel