maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RR2L6SDDTE25
Référence fabricant | RR2L6SDDTE25 |
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Numéro de pièce future | FT-RR2L6SDDTE25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
RR2L6SDDTE25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | PMDS |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR2L6SDDTE25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RR2L6SDDTE25-FT |
RBR2MM40BTFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40BTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60ATR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60BTFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60CTR
Rohm Semiconductor
RBR3MM30ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR3MM30ATR
Rohm Semiconductor
RBR3MM60BTFTR
Rohm Semiconductor
RF081MM2STFTR
Rohm Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel