maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RR2L6SDDTE25
Référence fabricant | RR2L6SDDTE25 |
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Numéro de pièce future | FT-RR2L6SDDTE25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
RR2L6SDDTE25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | PMDS |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR2L6SDDTE25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RR2L6SDDTE25-FT |
RBR2MM40BTFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40BTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60ATR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60BTFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60CTR
Rohm Semiconductor
RBR3MM30ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR3MM30ATR
Rohm Semiconductor
RBR3MM60BTFTR
Rohm Semiconductor
RF081MM2STFTR
Rohm Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel