maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs magnétiques - Commutateurs (à semi-conduc / RR121-1B13-312
Référence fabricant | RR121-1B13-312 |
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Numéro de pièce future | FT-RR121-1B13-312 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RedRock™ 121 |
RR121-1B13-312 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Une fonction | Omnipolar Switch |
La technologie | Magnetoresistive |
Polarisation | Either |
Plage de détection | 3mT Trip, 2mT Release |
Condition de test | 25°C |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Courant - Alimentation (Max) | 700nA |
Courant - Sortie (Max) | 10mA |
Le type de sortie | Digital |
Caractéristiques | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | 4-XFLGA |
Package d'appareils du fournisseur | 4-LGA (1.4x1.4) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR121-1B13-312 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RR121-1B13-312-FT |
AH9249NTR-G1
Diodes Incorporated
AH337-WG-7
Diodes Incorporated
AH183-WG-7
Diodes Incorporated
AH175-WG-7-B
Diodes Incorporated
AH373-WG-7
Diodes Incorporated
AH175-WG-7-A
Diodes Incorporated
AH3377-W-7
Diodes Incorporated
AH180N-WG-7
Diodes Incorporated
AH1921-W-7
Diodes Incorporated
AH1804-W-7
Diodes Incorporated
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4SE530H40C4ES
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5FFG896I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel