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Rohm Semiconductor RQ6E055BNTCR

Numéro de pièce MFG
RQ6E055BNTCR
quantité disponible
71900 Pièces
Prix de référence
USD 0.17732
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RQ6E055BNTCR.pdf
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RQ6E055BNTCR Caractéristiques

Référence fabricant RQ6E055BNTCR
Numéro de pièce future FT-RQ6E055BNTCR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RQ6E055BNTCR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 355pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TSMT6 (SC-95)
Paquet / caisse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ6E055BNTCR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RQ6E055BNTCR-FT

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