maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RQ3E180BNTB
Référence fabricant | RQ3E180BNTB |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RQ3E180BNTB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RQ3E180BNTB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 39A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta), 20W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-HSMT (3.2x3) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3E180BNTB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RQ3E180BNTB-FT |
R5007ANJTL
Rohm Semiconductor
R5009ANJTL
Rohm Semiconductor
R5009FNJTL
Rohm Semiconductor
R5011ANJTL
Rohm Semiconductor
R5013ANJTL
Rohm Semiconductor
R5016ANJTL
Rohm Semiconductor
R5016FNJTL
Rohm Semiconductor
R5021ANJTL
Rohm Semiconductor
R6012ANJTL
Rohm Semiconductor
R6012FNJTL
Rohm Semiconductor
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel