maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RP1E090RPTR
Référence fabricant | RP1E090RPTR |
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Numéro de pièce future | FT-RP1E090RPTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RP1E090RPTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | MPT6 |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RP1E090RPTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RP1E090RPTR-FT |
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XC4005E-1PQ100C
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XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
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EP4S100G5F45I3
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A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
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