maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RP1E050RPTR
Référence fabricant | RP1E050RPTR |
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Numéro de pièce future | FT-RP1E050RPTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RP1E050RPTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | MPT6 |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RP1E050RPTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RP1E050RPTR-FT |
2SK3800VL
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2SK3800VR
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EP1C6T144C6
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A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
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