maison / des produits / Condensateurs / Aluminium - Condensateurs polymères / RNS1E100MDS1JT
Référence fabricant | RNS1E100MDS1JT |
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Numéro de pièce future | FT-RNS1E100MDS1JT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FPCAP, RNS |
RNS1E100MDS1JT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Polymer |
Capacitance | 10µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 25V |
ESR (résistance série équivalente) | 63 mOhm |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 170mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 1.7A @ 100kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.098" (2.50mm) |
Taille / Dimension | 0.248" Dia (6.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RNS1E100MDS1JT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RNS1E100MDS1JT-FT |
RNS1A221MDN1
Nichicon
RNS1A471MDN1
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RNS1C151MDN1
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RNS1E470MDN1PH
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RL81C331MDN1KX
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
AT6003-4AC
Microchip Technology
5SGXMA9N3F45C3N
Intel
5SGSMD8N1F45C2LN
Intel
A40MX02-PQ100I
Microsemi Corporation
EP2C5Q208C8N
Intel
EP1K50QI208-2N
Intel