Référence fabricant | RN 4Z |
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Numéro de pièce future | FT-RN 4Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN 4Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 3.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 100ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN 4Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN 4Z-FT |
FMD-G26S
Sanken
FMY-1106S
Sanken
FML-G22S
Sanken
FML-G16S
Sanken
FML-G14S
Sanken
FMG-G26S
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FMX-1106S
Sanken
FML-G12S
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FMX-G12S
Sanken
FMX-G16S
Sanken
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel