maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN4982,LF(CT
Référence fabricant | RN4982,LF(CT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN4982,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN4982,LF(CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz, 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | US6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4982,LF(CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN4982,LF(CT-FT |
RN1962TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN49A2,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1673(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1911FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2903FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3SD1800A-4CS484I
Xilinx Inc.
XC3042L-8VQ100C
Xilinx Inc.
5SGXMA7K2F35C2LN
Intel
A42MX16-3PLG84
Microsemi Corporation
A42MX09-TQ176A
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29C4
Intel
EP3CLS70F780C7N
Intel
10AX027E1F27E1HG
Intel
EP20K100QC240-3N
Intel