maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN2961FE(TE85L,F)
Référence fabricant | RN2961FE(TE85L,F) |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN2961FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN2961FE(TE85L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | ES6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2961FE(TE85L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN2961FE(TE85L,F)-FT |
RN4602TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
IMB2AT110
Rohm Semiconductor
IMB3AT110
Rohm Semiconductor
IMD2AT108
Rohm Semiconductor
IMD3AT108
Rohm Semiconductor
IMD6AT108
Rohm Semiconductor
IMD9AT108
Rohm Semiconductor
IMH21T110
Rohm Semiconductor
IMH23T110
Rohm Semiconductor
IMH2AT110
Rohm Semiconductor
EP20K100ETC144-1
Intel
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5F256C7
Intel
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K300ERC208-2X
Intel