maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN2507(TE85L,F)
Référence fabricant | RN2507(TE85L,F) |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN2507(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN2507(TE85L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74A, SOT-753 |
Package d'appareils du fournisseur | SMV |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2507(TE85L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN2507(TE85L,F)-FT |
RN2962(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2963(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2964(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2965(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1964TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1962TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN49A2,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1673(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4006E-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484I
Xilinx Inc.
EP20K200CF672C7ES
Intel
5SGSED8N2F45I3N
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
AGLP030V5-CS289
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
Intel
EP4SGX290FF35I4
Intel
EP1SGX25FF1020I6N
Intel