maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN2505TE85LF
Référence fabricant | RN2505TE85LF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN2505TE85LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN2505TE85LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74A, SOT-753 |
Package d'appareils du fournisseur | SMV |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2505TE85LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN2505TE85LF-FT |
RN2964(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2965(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1964TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1962TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN49A2,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1673(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1911FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF6010ATC144-1
Intel
LCMXO640C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQG100C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SG
Intel