maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN2310,LF
Référence fabricant | RN2310,LF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN2310,LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN2310,LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | USM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2310,LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN2310,LF-FT |
RN2107MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2118MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2119MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1404S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1413(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1414,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1441ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-3FGG484I
Xilinx Inc.
APA450-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K10-2CQC
Microchip Technology
10CL055YF484C8G
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFXP6E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel