maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN2306,LF
Référence fabricant | RN2306,LF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN2306,LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN2306,LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | USM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2306,LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN2306,LF-FT |
RN1131MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2118MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2119MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1404S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1413(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1414,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4028XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC484-1X
Intel
5SGXEA5N3F40C3N
Intel
EP4SE530H40C2N
Intel
XC5VLX110T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG160A
Microsemi Corporation
LFXP15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation