maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN1313(TE85L,F)
Référence fabricant | RN1313(TE85L,F) |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN1313(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1313(TE85L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | USM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1313(TE85L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1313(TE85L,F)-FT |
RN1441ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1401,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1403,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1408,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1409,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1416,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2401,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC5206-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8N
Intel
10CX150YF672I6G
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQC240-2X
Intel