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Toshiba Semiconductor and Storage RN1310(TE85L,F)

Numéro de pièce MFG
RN1310(TE85L,F)
quantité disponible
91960 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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RN1310(TE85L,F) Caractéristiques

Référence fabricant RN1310(TE85L,F)
Numéro de pièce future FT-RN1310(TE85L,F)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RN1310(TE85L,F) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 50V
Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) -
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SC-70, SOT-323
Package d'appareils du fournisseur USM
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1310(TE85L,F) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RN1310(TE85L,F)-FT

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