maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN1114MFV,L3F
Référence fabricant | RN1114MFV,L3F |
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Numéro de pièce future | FT-RN1114MFV,L3F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1114MFV,L3F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VESM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1114MFV,L3F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1114MFV,L3F-FT |
PDTC114YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114YTVL
Nexperia USA Inc.
PDTC115ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC115TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTC123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123TT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC123YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC124ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC124ET,235
Nexperia USA Inc.
LFXP3C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FGG400Q
Xilinx Inc.
AGLN020V5-CSG81
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LQN84I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7H3F35C4N
Intel
XC5VSX50T-1FF1136C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19I7N
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel