maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN1114MFV,L3F
Référence fabricant | RN1114MFV,L3F |
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Numéro de pièce future | FT-RN1114MFV,L3F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1114MFV,L3F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VESM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1114MFV,L3F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1114MFV,L3F-FT |
PDTC114YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114YTVL
Nexperia USA Inc.
PDTC115ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC115TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTC123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123TT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC123YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC124ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC124ET,235
Nexperia USA Inc.
XCS30-3TQ144I
Xilinx Inc.
EX256-FTQG100
Microsemi Corporation
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX565T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
10AX066H2F34I2LG
Intel
EP4CE75F29C6N
Intel
EP4SGX230FF35I4
Intel