maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN1106MFV,L3F
Référence fabricant | RN1106MFV,L3F |
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Numéro de pièce future | FT-RN1106MFV,L3F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1106MFV,L3F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VESM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1106MFV,L3F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1106MFV,L3F-FT |
UNR32A600L
Panasonic Electronic Components
UNR32A6G0L
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UNR32AA00L
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XC3S200A-4FT256I
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Xilinx Inc.
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5SGXEB6R2F43C2N
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XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
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5SGXEA3H3F35I4N
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