Référence fabricant | RM 10 |
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Numéro de pièce future | FT-RM 10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RM 10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 910mV @ 1.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RM 10-FT |
RJU6053TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU6053WDPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJU6054SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJU6054TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C2DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJU60C2TDPP-AJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C2TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C3TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C6TDPP-AJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C6TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel