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Référence fabricant | RLB0912-3R3ML |
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Numéro de pièce future | FT-RLB0912-3R3ML |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RLB |
RLB0912-3R3ML Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 4.5A |
Courant - Saturation | 6.5A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 18 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 50MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.343" Dia (8.70mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.433" (11.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB0912-3R3ML Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RLB0912-3R3ML-FT |
RLB9012-120KL
Bourns Inc.
RLB9012-561KL
Bourns Inc.
RLB9012-473KL
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RLB9012-2R2ML
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RLB9012-323KL
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RLB9012-680KL
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RLB9012-272KL
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RLB9012-270KL
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RLB9012-4R7ML
Bourns Inc.
RLB9012-682KL
Bourns Inc.
AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K30ETC144-1N
Intel
XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel