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Référence fabricant | RLB0912-100KL |
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Numéro de pièce future | FT-RLB0912-100KL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RLB |
RLB0912-100KL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 2.5A |
Courant - Saturation | 3.6A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 43 mOhm Max |
Q @ Freq | 60 @ 2.52MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 27MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.343" Dia (8.70mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.433" (11.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB0912-100KL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RLB0912-100KL-FT |
RLB9012-3R3ML
Bourns Inc.
RLB9012-120KL
Bourns Inc.
RLB9012-561KL
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RLB9012-473KL
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RLB9012-2R2ML
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RLB9012-323KL
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RLB9012-680KL
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RLB9012-272KL
Bourns Inc.
RLB9012-270KL
Bourns Inc.
RLB9012-4R7ML
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel