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Référence fabricant | RL855-681K-RC |
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Numéro de pièce future | FT-RL855-681K-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RL855 |
RL855-681K-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 680µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 320mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 3.25 Ohm Max |
Q @ Freq | 34 @ 790kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 1.7MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.307" Dia (7.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.217" (5.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-681K-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL855-681K-RC-FT |
RLB0913-222K
Bourns Inc.
RLB0913-820K
Bourns Inc.
RLB0913-152K
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RLB0913-682K
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RLB0913-151K
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RLB0913-150K
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RLB0913-153K
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RLB0913-472K
Bourns Inc.
A3P600L-FGG484
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Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
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XC7A200T-3FBG484E
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XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
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