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Référence fabricant | RL855-330K-RC |
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Numéro de pièce future | FT-RL855-330K-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RL855 |
RL855-330K-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 33µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 1.4A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 170 mOhm Max |
Q @ Freq | 22 @ 2.5MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 8MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.307" Dia (7.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.217" (5.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-330K-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL855-330K-RC-FT |
RLB0913-561K
Bourns Inc.
RLB0913-102K
Bourns Inc.
RLB0913-390K
Bourns Inc.
RLB0913-100K
Bourns Inc.
RLB0913-1R0K
Bourns Inc.
RLB0913-181K
Bourns Inc.
RLB0913-332K
Bourns Inc.
RLB0913-121K
Bourns Inc.
RLB0913-222K
Bourns Inc.
RLB0913-820K
Bourns Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel