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Référence fabricant | RL855-220K-RC |
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Numéro de pièce future | FT-RL855-220K-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RL855 |
RL855-220K-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 22µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 1.7A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | 32 @ 2.5MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 11MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.307" Dia (7.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.217" (5.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-220K-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL855-220K-RC-FT |
RLB0913-680K
Bourns Inc.
RLB0913-270K
Bourns Inc.
RLB0913-561K
Bourns Inc.
RLB0913-102K
Bourns Inc.
RLB0913-390K
Bourns Inc.
RLB0913-100K
Bourns Inc.
RLB0913-1R0K
Bourns Inc.
RLB0913-181K
Bourns Inc.
RLB0913-332K
Bourns Inc.
RLB0913-121K
Bourns Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel