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Référence fabricant | RL855-102K |
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Numéro de pièce future | FT-RL855-102K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RL855 |
RL855-102K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1mH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 250mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 5.28 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.307" Dia (7.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.217" (5.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-102K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL855-102K-FT |
RLB0913-182K
Bourns Inc.
RLB0913-221K
Bourns Inc.
RLB0913-151K
Bourns Inc.
RLB0913-150K
Bourns Inc.
RLB0913-153K
Bourns Inc.
RLB0913-472K
Bourns Inc.
RLB0913-273K
Bourns Inc.
RLB0913-683K
Bourns Inc.
RLB0913-823K
Bourns Inc.
RLB0913-393K
Bourns Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel