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Référence fabricant | RL822-3R3K-RC |
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Numéro de pièce future | FT-RL822-3R3K-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RL822 |
RL822-3R3K-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 2.66A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 25 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 79MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.335" Dia (8.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.433" (11.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL822-3R3K-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL822-3R3K-RC-FT |
RL895-471K
Bourns Inc.
RL895-472K
Bourns Inc.
RL895-473K
Bourns Inc.
RL895-560K
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RL895-560K-RC
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RL895-561K
Bourns Inc.
RL895-562K
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RL895-680K
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RL895-680K-RC
Bourns Inc.
RL895-681K
Bourns Inc.
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel