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Référence fabricant | RL262-151J-RC |
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Numéro de pièce future | FT-RL262-151J-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RL262 |
RL262-151J-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 150µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 200mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | 60 @ 796kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 5MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 796kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.244" (6.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL262-151J-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL262-151J-RC-FT |
RL824-100K-RC
Bourns Inc.
RL824-101K-RC
Bourns Inc.
RL824-102K-RC
Bourns Inc.
RL824-121K-RC
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RL824-122K-RC
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RL824-150K-RC
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RL824-151K-RC
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RL824-152K-RC
Bourns Inc.
RL824-182K-RC
Bourns Inc.
RL824-220K-RC
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel