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Référence fabricant | RL255GP-TP |
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Numéro de pièce future | FT-RL255GP-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RL255GP-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 2.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | R-3, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | R-3 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL255GP-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL255GP-TP-FT |
MS109E3/TR8
Microsemi Corporation
MS110/TR12
Microsemi Corporation
MS110/TR8
Microsemi Corporation
MS110E3/TR12
Microsemi Corporation
MS110E3/TR8
Microsemi Corporation
1N6663US
Microsemi Corporation
1N5811US
Microsemi Corporation
1N5554US
Microsemi Corporation
1N6643US
Microsemi Corporation
1N5822US
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel